FHF12N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FHF12N65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHF12N65C

FHF12N65C Datasheet (PDF)

..1. Size:782K feihonltd
fhp12n65c fhf12n65c.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N65C/ FHF12N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.63 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt I

7.1. Size:784K feihonltd
fhp12n60a fhf12n60a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N60A/ FHF12N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.6 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt Im

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: