FHF15N65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FHF15N65A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHF15N65A

FHF15N65A Datasheet (PDF)

..1. Size:618K feihonltd
fhp15n65a fhf15n65a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP15N65A /FHF15N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 15A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 16pF) Low Crss (typical 16pF ) Rdson-typ@Vgs=10V 0.46 Fast switching Qg-typ 50nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

7.1. Size:625K feihonltd
fhp15n60a fhf15n60a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP15N60A /FHF15N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 15A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 16pF) Low Crss (typical 16pF ) Rdson-typ@Vgs=10V 0.41 Fast switching Qg-typ 50nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

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Liste

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