FHD2N65D Todos los transistores

 

FHD2N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD2N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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FHD2N65D Datasheet (PDF)

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 fhp2n65d fhf2n65d fhu2n65d fhd2n65d.pdf pdf_icon

FHD2N65D

N N-CHANNEL MOSFET FHP2N65D/FHF2N65D/FHU2N65D/FHD2N65D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.0 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/

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FHD2N65D

N N-CHANNEL MOSFET FHF2N65A/FHP2N65A/FHU2N65A/FHD2N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.0 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/

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FHD2N65D

N N-CHANNEL MOSFET FHF2N60E/FHP2N60E/FHU2N60E/FHD2N60E MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.0 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/

 8.2. Size:964K  feihonltd
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FHD2N65D

N N-CHANNEL MOSFET FHF2N60A/FHP2N60A/FHU2N60A/FHD2N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.5 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/

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History: JFAM20N60C | MTP12N20 | P6503NJ

 

 
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