FHP40N20C Todos los transistores

 

FHP40N20C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHP40N20C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 394 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FHP40N20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1195K  feihonltd
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FHP40N20C

N N-CHANNEL MOSFET FHP40N20C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 40A Low gate charge VDSS 200V Crss ( 34pF) Low Crss (typical 34pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 50m Fast switching Qg-typ 49.4nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/

 6.1. Size:1114K  feihonltd
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FHP40N20C

N N-CHANNEL MOSFET FHP40N20A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 35A Low gate charge VDSS 200V Crss ( 24pF) Low Crss (typical 24pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 70m Fast switching Qg-typ 38nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

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