FHP50N06C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHP50N06C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de FHP50N06C MOSFET
FHP50N06C Datasheet (PDF)
fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt
Otros transistores... FHP3710C , FHP40N20A , FHP40N20C , FHP4410A , FHP50N06 , FHU50N06D , FHD50N06D , FHP50N06A , MMIS60R580P , FHP540A , FHP540C , FHP60N06B , FHP640A , FHP6N90A , FHF6N90A , FHP730A , FHF730A .
History: STF20N90K5 | IRF7240TRPBF | UPA2719AGR | IXFA4N100Q | SNN3100L10D | SWD7N65K2 | HY1606B
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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