FHP50N06C Todos los transistores

 

FHP50N06C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHP50N06C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FHP50N06C Datasheet (PDF)

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FHP50N06C

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FHP50N06C

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

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FHP50N06C

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History: NP75N04YUK | WMO08N80M3 | SUN0465F | STP80N20M5 | IRF630B | HYG210P06LQ1D | IRFBC30APBF

 

 
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