FHP7N65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FHP7N65A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 24 nC
   Tiempo de subida (tr): 21 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 93 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHP7N65A

FHP7N65A Datasheet (PDF)

..1. Size:1006K feihonltd
fhp7n65a fhf7n65a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP7N65A /FHF7N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 7A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.0 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

7.1. Size:979K feihonltd
fhp7n65g.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP7N65G MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 7A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.0 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

7.2. Size:1075K feihonltd
fhu7n65b fhd7n65b fhp7n65b fhf7n65b.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHU7N65B/FHD7N65B /FHP7N65B /FHF7N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 7A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.2 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested

8.1. Size:1020K feihonltd
fhp7n60a fhf7n60a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP7N60A /FHF7N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 7A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.9 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

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History: 13N60A

Liste

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