FHP830A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHP830A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Encapsulados: TO-220
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FHP830A datasheet
fhp830a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP830A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 11.5pF) Low Crss (typical 11.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.3 Fast switching Qg-typ 26nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d
fhp830b.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP830B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.35 Fast switching Qg-typ 26nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt c
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Liste
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