FHS110N8F5A Todos los transistores

FHS110N8F5A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FHS110N8F5A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 157 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 651.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO-263

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros