FHD80N07A Todos los transistores

 

FHD80N07A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD80N07A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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FHD80N07A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1309K  feihonltd
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FHD80N07A

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N07A/FHD80N07A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 68 V Crss ( 270pF) Low Crss (typical 270pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 6.1. Size:860K  feihonltd
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FHD80N07A

N N-CHANNEL MOSFET FHD80N07C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 63 V Crss ( 180pF) Low Crss (typical 180pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.3m Fast switching Qg-typ 57nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved d

 7.1. Size:946K  feihonltd
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FHD80N07A

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N08B/FHD80N08B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

Otros transistores... FHF8N60C , FHP8N65A , FHF8N65A , FHS100N09A , FHS110N8F5A , FHS130N10A , FHS150N1F4A , FHS80N07A , AON6414A , FHS80N08B , FHD80N08B , FHS90N08C , FHT5N60D , FHU100N03A , FHD100N03A , FHU100N03B , FHD100N03B .

History: AP70T03GP | SSF3637S | BRCS4614SC | APT1003RSLL | HMS8N60K | SML100S11 | STD2NK90Z

 

 
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