FHU5N65C Todos los transistores

 

FHU5N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHU5N65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FHU5N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1011K  feihonltd
 fhu5n65c fhd5n65c fhp5n65c fhf5n65c.pdf pdf_icon

FHU5N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N65C/FHD5N65C/FHP5N65C/FHF5N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.1 Fast switching Qg-typ 14.5nC 100% 100% avalanche tested

 7.1. Size:1011K  feihonltd
 fhu5n65b fhd5n65b fhp5n65b fhf5n65b.pdf pdf_icon

FHU5N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N65B/FHD5N65B/FHP5N65B/FHF5N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 14.5nC 100% 100% avalanche tested

 8.1. Size:1179K  feihonltd
 fhu5n60a fhd5n60a fhp5n60a fhf5n60a.pdf pdf_icon

FHU5N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N60A/FHD5N60A /FHP5N60A /FHF5N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.7 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

Otros transistores... FHU5N60A , FHD5N60A , FHP5N60A , FHF5N60A , FHU5N65B , FHD5N65B , FHP5N65B , FHF5N65B , 13N50 , FHD5N65C , FHP5N65C , FHF5N65C , FHU630A , FHD630A , FHP630A , FHF630A , FHU70N03A .

History: PTW50N20 | WMJ90N60F2 | CRSE120N10L2

 

 
Back to Top

 


 
.