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FHF5N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHF5N65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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FHF5N65C Datasheet (PDF)

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FHF5N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N65C/FHD5N65C/FHP5N65C/FHF5N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.1 Fast switching Qg-typ 14.5nC 100% 100% avalanche tested

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FHF5N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N65B/FHD5N65B/FHP5N65B/FHF5N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 14.5nC 100% 100% avalanche tested

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FHF5N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N60A/FHD5N60A /FHP5N60A /FHF5N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.7 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

 8.2. Size:229K  feihonltd
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FHF5N65C

Free Datasheet http://www.Datasheet4U.comFHF5N60FHF5N60NMOSAC-DCDC-DCHPMWDS DSDSDS 5A,600VR (on)(1.97 TC=25

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History: DH033N04E | 2SK2608 | TK14C65W5

 

 
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