BRCS120N03ZJ Todos los transistores

 

BRCS120N03ZJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS120N03ZJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: DFN2X2B-6L

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BRCS120N03ZJ datasheet

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BRCS120N03ZJ

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BRCS120N03ZJ

BRCS120N03ZB Rev.C Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 3 3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 3 3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 20 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications

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BRCS120N03ZJ

BRCS120N03YA Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN3 3-8L N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a PDFN3 3-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =24A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications Intended for use in g

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BRCS120N03ZJ

BRCS120N03DP Rev.A Dec.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 30V DS I =42A (V = 20V) D GS R DS(ON)@10V 12.5mR(Typ.11.7mR) HF Product. / Applications DC/DC These devices are well su

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History: AOB2144L | SM1A11NSK | WMN28N65F2

 

 

 

 

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