BRCS3407MC Todos los transistores

 

BRCS3407MC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS3407MC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRCS3407MC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  blue-rocket-elect
brcs3407mc.pdf pdf_icon

BRCS3407MC

BRCS3407MC Rev.B Mar.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID = -4.1 A RDS(ON)

 7.1. Size:735K  blue-rocket-elect
brcs3401mc.pdf pdf_icon

BRCS3407MC

BRCS3401MC Rev. B Dec.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID = -4.2 A (VGS = -10V) RDS(ON)

 7.2. Size:1190K  blue-rocket-elect
brcs3404ma.pdf pdf_icon

BRCS3407MC

BRCS3404MA Rev.A Oct-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features V (V) = 30V DS I = 5.5 A (V = 20V) D GSR

 7.3. Size:628K  blue-rocket-elect
brcs3400ma.pdf pdf_icon

BRCS3407MC

BRCS3400MA Rev.A Apr.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V) RDS(ON)

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDD86367 | CEP15P15 | SIR166DP | IRFZ24 | APT10025PVR | FQAF70N15 | UF830L-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.