BRCS3415MC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS3415MC
Código: AFH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.9 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 11.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.041 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS3415MC
BRCS3415MC Datasheet (PDF)
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BRCS3415MC Rev.A .Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features RDS(ON)
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BRCS3401MC Rev. B Dec.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID = -4.2 A (VGS = -10V) RDS(ON)
brcs3420mc.pdf
BRCS3420MC Rev.A Dec.-2016 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features VDS (V) = 20V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON)
brcs3400mc.pdf
BRCS3400MC Rev. F Dec.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V) RDS(ON)
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BRCS3407MC Rev.B Mar.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID = -4.1 A RDS(ON)
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BRCS3402MA Rev. A Jun-2020 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 4 A RDS(ON)
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