SSI6N70A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSI6N70A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
- Selección de transistores por parámetros
SSI6N70A Datasheet (PDF)
Otros transistores... SSI3N90A , SSI4N60A , SSI4N80A , SSI4N80AS , SSI4N90A , SSI4N90AS , SSI5N80A , SSI5N90A , IRF9540N , SSI7N60A , SSP10N60A , SSP1N50A , SSP1N60A , SSP2N60A , SSP2N80A , SSP2N90A , SSP3N70 .
History: IXTP50N28T | 3SK249
History: IXTP50N28T | 3SK249



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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