8680A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 8680A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de 8680A MOSFET
8680A Datasheet (PDF)
8680a.pdf

GOFORD8680AGeneral Description The 8680A is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Schematic DiagramFeatures RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) 80V 92A 6.6 mMarking and pin assignment Special D
Otros transistores... IRFB3710 , 2312 , 06N06L , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , IRF530 , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K .
History: SSD20N10-250D | SWN6N80D | IRF8714G
History: SSD20N10-250D | SWN6N80D | IRF8714G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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