SSP3N80A Todos los transistores

 

SSP3N80A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSP3N80A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SSP3N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:937K  samsung
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SSP3N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 3.800 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.1. Size:305K  1
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SSP3N80A

 9.2. Size:260K  fairchild semi
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SSP3N80A

SSP3N90AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 6.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 4.679 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara

 9.3. Size:936K  samsung
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SSP3N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 6.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 4.679 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

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