DMPH6050SK3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMPH6050SK3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: TO252
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DMPH6050SK3 datasheet
dmph6050sk3.pdf
DMPH6050SK3 Green 60V 175 C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C ID max BVDSS RDS(ON) max Environments TC = +25 C 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 50m @ VGS = -10V -23.6A -60V and Robust End Application 70m @ VGS = -4.5V -20A Low Qg
Otros transistores... DMP4065SQ , DMP510DL , DMP6050SFG , DMP610DL , DMP6110SVT , DMP6180SK3Q , DMP6185SEQ , DMP6350S , AON7408 , DMPH6050SK3Q , DMT10H009LCG , DMT10H010LK3 , DMT10H010LSS , DMT10H015LPS , DMT10H015LSS , DMT3002LPS , DMT3006LFV .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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