DMPH6050SK3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMPH6050SK3
Código: H6050S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 23.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 25 nC
Tiempo de subida (tr): 8.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 87 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMPH6050SK3
DMPH6050SK3 Datasheet (PDF)
dmph6050sk3.pdf
DMPH6050SK3 Green60V 175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C ID max BVDSS RDS(ON) max Environments TC = +25C 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 50m @ VGS = -10V -23.6A -60V and Robust End Application 70m @ VGS = -4.5V -20A Low Qg
dmph6050sk3q.pdf
DMPH6050SK3QGreenQ 60V +175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C BVDSS RDS(ON) max TC = +25C Environments 50m @ VGS = -10V -23.6A 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable -60V 70m @ VGS = -4.5V -20A and Robust End Application Low Qg
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