DMN15H310SK3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMN15H310SK3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMN15H310SK3

DMN15H310SK3 Datasheet (PDF)

..1. Size:507K diodes
dmn15h310sk3.pdf

DMN15H310SK3 Green150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID V(BR)DSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TC = +25C density end products 310m @ VGS = 10V 8.3A 150V Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 330m @ VGS = 5.0V 8.0A

..2. Size:265K inchange semiconductor
dmn15h310sk3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN15H310SK3FEATURESDrain Current I = 8.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 310m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general

4.1. Size:372K diodes
dmn15h310se.pdf

DMN15H310SE150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production ID V(BR)DSS RDS(ON) max Fast Switching Speed TA = +25C Low On-Resistance 310m @ VGS = 10V 2.0A 150V Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 330m @ VGS = 5.0V 1.9A Halogen and Antimony Free. Green D

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Liste

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