SUK3015 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUK3015
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 89 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 300 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Tiempo de subida (tr): 34 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220S
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUK3015
SUK3015 Datasheet (PDF)
suk3015.pdf
VDSS = 300 V, RDS(ON) = 0.15 N-channel Power MOSFET SUK3015 Data Sheet Description Package SUK3015 includes a low on-resistance N-channel TO220S power MOSFET with zener diode for ESD protection. The package of SUK3015 is TO220S that is surface (4) (4) mount package and high heat release. Features Automotive Qualified Low On Resistance (1) (2) (3) (3) (2) (1)
suk3015.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SUK3015FEATURESDrain Current I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 300V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 150m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
