BL2305 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BL2305
Código: 2305
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BL2305
BL2305 Datasheet (PDF)
bl2305.pdf
Product specification P-Channel Enhancement Mode Power Mosfet BL2305 FEATURES Super High Dense Cell Design for Extremely PbLow R Lead-free DS(ON) Reliable and Rugged Electrostatic Sensitive Devices. MSL1 APPLICATIONS Power Management in Notebook. Portable Equipment. SOT-23 Battery Powered System. ORDERING INFORMATION Type No. Marking P
bl2302.pdf
Product specification N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor BL2302 FEATURES 20V/3.6A,RDS(ON)=85m_@VGS=4.5V. Pb 20V/3.1A,RDS(ON)=115m_@VGS=2.5V. Lead-free Super high density cell design for extremely low RDS(ON). Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. Electrostatic Sensitive Devices. MSL 1. APPLICATIONS Powe
vbl2309.pdf
VBL2309www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.008 at VGS = - 10 V - 75 100 % Rg TestedRoHS- 30 56 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.011 at VGS = - 4.5 V - 65APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchS D2PAK (TO-263)G DGSD P
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History: TSM4416DCS
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