BL2305 Todos los transistores

 

BL2305 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BL2305
   Código: 2305
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET BL2305

 

BL2305 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  galaxy
bl2305.pdf

BL2305
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Product specification P-Channel Enhancement Mode Power Mosfet BL2305 FEATURES Super High Dense Cell Design for Extremely PbLow R Lead-free DS(ON) Reliable and Rugged Electrostatic Sensitive Devices. MSL1 APPLICATIONS Power Management in Notebook. Portable Equipment. SOT-23 Battery Powered System. ORDERING INFORMATION Type No. Marking P

 9.1. Size:239K  galaxy
bl2302.pdf

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Product specification N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor BL2302 FEATURES 20V/3.6A,RDS(ON)=85m_@VGS=4.5V. Pb 20V/3.1A,RDS(ON)=115m_@VGS=2.5V. Lead-free Super high density cell design for extremely low RDS(ON). Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. Electrostatic Sensitive Devices. MSL 1. APPLICATIONS Powe

 9.2. Size:744K  cn vbsemi
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VBL2309www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.008 at VGS = - 10 V - 75 100 % Rg TestedRoHS- 30 56 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.011 at VGS = - 4.5 V - 65APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchS D2PAK (TO-263)G DGSD P

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