GP2301 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP2301
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Encapsulados: SOT23
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GP2301 datasheet
gp2301.pdf
GP2301 20V P-Channel MOSFET Product Summary SOT-23 V R I (BR)DSS DS(on)MAX D 110m @-4.5V -20V -2.3A 140m @-2.5V Feature TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) and Low Gate Charge Schematic diagram Application DC/DC Converter Load Switch for Portable Devices Battery Switch MARKING ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise note
gp2302.pdf
GP2302 20V N-Channel MOSFET Product Summary SOT-23 V R I (BR)DSS DS(on)MAX D 45m @4.5V 20V 2.1A 60m @2.5V Feature TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) and Low Gate Charge Schematic diagram Application DC/DC Converter Load Switch for Portable Devices Battery Switch MARKING ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) P
Otros transistores... FIR7N60FG , FIR7N65FG , AS3423B , 2N7002HW , 2N7002HT , 2N7002HL , BL2302 , BL2305 , K2611 , GP2302 , GP3139 , GP3401 , HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , SMD2N65 , SMD4N65 .
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