HOA2307 Todos los transistores

 

HOA2307 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HOA2307
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.138 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

HOA2307 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  guangdong hottech
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HOA2307

Plastic-Encapsulate MosfetsFEATURESHOA2307Lower on-resistanceP-Channel MOSFETReliable and RuggedAbsolute Maximum Ratings (TA=25oC, unless otherwise noted)Parameter Symbol Ratings UnitDrain-Source Voltage VDS -30 V1.GateGate-source Voltage VGS 20 V 2.SourceSOT-23a3.DrainDrain Current (Continuous) ID -2.7 AobTotal Power Dissipation @TA=25 C PD 1.1 WOperating Ju

 8.1. Size:457K  guangdong hottech
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HOA2307

Plastic-Encapsulate MosfetsHOA2303 P-Channel MOSFETFEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices 1.Gate DC/DC Converter 2.SourceSOT-233.DrainMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current ID -1.9A Continuous So

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History: NCE65TF099F | P06P03LDG

 

 
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