SMF10N65 Todos los transistores

 

SMF10N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMF10N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de SMF10N65 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SMF10N65 datasheet

 ..1. Size:901K  huake
 smf10n65.pdf pdf_icon

SMF10N65

SMF10N65 650V N-Channnel MOSFET Features 10.0A, 650V, R =0.80 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Va

 7.1. Size:900K  huake
 smf10n60.pdf pdf_icon

SMF10N65

SMF10N60 600V N-Channnel MOSFET Features 10.0A, 600V, R =0.75 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Va

Otros transistores... GP3401 , HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , SMD2N65 , SMD4N65 , SMD7N65 , SMF10N60 , IRF3205 , SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 , SMF4N60 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.