SMF2N60 Todos los transistores

 

SMF2N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMF2N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SMF2N60 datasheet

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SMF2N60

SMF2N60 600V N-Channnel MOSFET Features 2.0A, 600V, R =3.8 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

 8.1. Size:898K  huake
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SMF2N60

SMF2N65 650V N-Channnel MOSFET Features 2.0A, 650V, R =4.2 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

Otros transistores... SMD7N65 , SMF10N60 , SMF10N65 , SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 , 50N06 , SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 , SMF5N60 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 .

History: RVQ040N05 | KIA10N80H-220F | 2SK3913-01MR

 

 

 

 

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