SMF5N65 Todos los transistores

 

SMF5N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMF5N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SMF5N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:948K  huake
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SMF5N65

SMF5N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 5.0A, 650V, R =2.4@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

 8.1. Size:949K  huake
 smf5n60.pdf pdf_icon

SMF5N65

SMF5N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 5.0A, 600V, R =1.9@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Otros transistores... SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 , SMF5N60 , IRFP260N , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , SMT10N60 , SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 .

History: SFP040N100C3 | WPM1480 | IRFU3910P | MTBA6C15J4 | NCEP080N12G | IRL6372 | SSB60R099S2E

 

 
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