SMF8N60 Todos los transistores

 

SMF8N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMF8N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SMF8N60 datasheet

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SMF8N60

SMF8N60 600V N-Channnel MOSFET Features 8.0A, 600V, R =1.0 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

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SMF8N60

SMF8N65 650V N-Channnel MOSFET Features 8.0A, 650V, R =1.1 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

Otros transistores... SMF2N60 , SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 , SMF5N60 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , IRFP260N , SMF8N65 , SMT10N60 , SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 .

History: JMH65R980AK | WMQ37N03T1 | 4N70G-TM3-T | HD830 | MEE4298T | HY3403V | R521

 

 

 

 

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