HD60N03 Todos los transistores

 

HD60N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HD60N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de HD60N03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HD60N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2558K  haolin elec
 hd60n03 hu60n03.pdf pdf_icon

HD60N03

Nov 2009BVDSS = 30 VRDS(on) = 0.014HD60N03 / HU60N03ID = 60 A30V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD60N03 HU60N03 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18.5 nC (Typ.) E

 9.1. Size:2721K  haolin elec
 hd60n75 hu60n75.pdf pdf_icon

HD60N03

Nov 2009BVDSS = 75VRDS(on) = 16 mHD60N75 / HU60N75ID = 60 A75V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD60N75 HU60N75 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Exten

Otros transistores... HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , IRF1010E , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 .

History: MSF10N65 | LNC12N65 | IRFP9240 | SSF1010 | MTP23P06V | UTT25P10L-TA3-T | SSU90R1K5S

 

 
Back to Top

 


 
.