HD60N03 Todos los transistores

 

HD60N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HD60N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO252

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HD60N03 datasheet

 ..1. Size:2558K  haolin elec
 hd60n03 hu60n03.pdf pdf_icon

HD60N03

Nov 2009 BVDSS = 30 V RDS(on) = 0.014 HD60N03 / HU60N03 ID = 60 A 30V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD60N03 HU60N03 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 18.5 nC (Typ.) E

 9.1. Size:2721K  haolin elec
 hd60n75 hu60n75.pdf pdf_icon

HD60N03

Nov 2009 BVDSS = 75V RDS(on) = 16 m HD60N75 / HU60N75 ID = 60 A 75V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD60N75 HU60N75 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Exten

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History: RTR025N03 | SWD065R68E7T | 2SK2887

 

 

 

 

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