HD60N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HD60N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 18.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 155 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 570 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HD60N03

HD60N03 Datasheet (PDF)

..1. Size:2558K haolin elec
hd60n03 hu60n03.pdf

Nov 2009BVDSS = 30 VRDS(on) = 0.014HD60N03 / HU60N03ID = 60 A30V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD60N03 HU60N03 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18.5 nC (Typ.) E

9.1. Size:2721K haolin elec
hd60n75 hu60n75.pdf

Nov 2009BVDSS = 75VRDS(on) = 16 mHD60N75 / HU60N75ID = 60 A75V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD60N75 HU60N75 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Exten

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Liste

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