SSR3055A Todos los transistores

 

SSR3055A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSR3055A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de SSR3055A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSR3055A datasheet

 ..1. Size:329K  1
ssu3055a ssr3055a.pdf pdf_icon

SSR3055A

 ..2. Size:496K  samsung
ssr3055a.pdf pdf_icon

SSR3055A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.15 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area A Lower Leakage Current 10 (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.097 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteris

 7.1. Size:165K  1
ssr3055la ssu3055la.pdf pdf_icon

SSR3055A

Otros transistores... SSP70N10A , SSP7N60A , SSP7N80A , SSP80N06A , SSR1N50 , SSR1N50A , SSR1N60A , SSR2N60A , IRFP460 , SSR3055LA , SSS10N60A , SSS1N50A , SSS1N60A , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AS6004 | 2N7002EY | AS2310A | 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966 | AONR62992 | AON7400B | AON6578 | AO3480C | AO3400C | HAF1008S | HAF1008L

 

 

 

Popular searches

2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor

 


 
↑ Back to Top
.