HY1103S Todos los transistores

 

HY1103S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1103S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HY1103S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:982K  hymexa
 hy1103s.pdf pdf_icon

HY1103S

HY1103SN-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/11ARDS(ON)=9.5m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)=11.5m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) SOP8LApplications Switching Application Power Management for DC/DC Battery ProtectionN-Channel MOSFET Ordering and Marking

 9.1. Size:223K  hy
 hy110n06t.pdf pdf_icon

HY1103S

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY110N06T 55V / 110A55V, RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V, ID=30AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (

 9.2. Size:5035K  hymexa
 hy1106s.pdf pdf_icon

HY1103S

HY1106SN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60 / 11AVDD13RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10VDDRDS(ON)=13.5m (typ.) @ VGS=4.5VAvalanche RatedSSS Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8(RoHS Compliant)pplicationsAD Power Management in DC/DC ConverterG N-Channel MOSFETSOrdering and Marki

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History: SLU5N65S | SIE726DF

 

 
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