HY12P03C2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY12P03C2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 469 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: PPAK5X6-8L

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HY12P03C2 datasheet

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HY12P03C2

HY12P03C2 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description -30V/-50A D D D D D D D D RDS(ON)= 10.4m (typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 14.2m (typ.) @VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Po

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HY12P03C2

HY12P03C2 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description -30V/-50A D D D D D D D D RDS(ON)= 10.4m (typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 14.2m (typ.) @VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Po

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HY12P03C2

HY12P03S P -Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30 / -12A V D D 11.5 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=-10V D D 16.5 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=-4.5V Avalanche Rated S S S Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available Top View of SOP-8 (RoHS Compliant) pplications A Power Management in DC/DC Converter P-Channel MOSFET Ordering and

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