HY12P03C2 Todos los transistores

 

HY12P03C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY12P03C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 469 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK5X6-8L
 

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HY12P03C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1756K  1
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HY12P03C2

HY12P03C2 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description -30V/-50AD D D D D D D DRDS(ON)= 10.4m(typ.) @VGS = -10VRDS(ON)= 14.2m(typ.) @VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Po

 ..2. Size:1756K  hymexa
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HY12P03C2

HY12P03C2 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description -30V/-50AD D D D D D D DRDS(ON)= 10.4m(typ.) @VGS = -10VRDS(ON)= 14.2m(typ.) @VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Po

 7.1. Size:5141K  hymexa
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HY12P03C2

HY12P03SP -Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30 / -12AVDD11.5 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=-10VDD16.5RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=-4.5VAvalanche Rated SSS Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8(RoHS Compliant)pplicationsA Power Management in DC/DC ConverterP-Channel MOSFETOrdering and

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History: FCH125N65S3R0 | AOC3878 | IPP50R350CP | IPD320N20N3 | PD696BA | AP65SL380BR | P1308AK

 

 
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