HY15P03C2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY15P03C2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 506 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: PPAK5X6-8L

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HY15P03C2 datasheet

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HY15P03C2

HY15P03C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D -30V/-60A RDS(ON)= 4.8m (typ.) @VGS =-10V RDS(ON)= 6.8m (typ.) @VGS =-4.5V Reliable and Rugged Halogen Free Devices Available S S S G G S S S (RoHS Compliant) Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Networking DC-DC Powe

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HY15P03C2

HY15P03C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D -30V/-60A RDS(ON)= 4.8m (typ.) @VGS =-10V RDS(ON)= 6.8m (typ.) @VGS =-4.5V Reliable and Rugged Halogen Free Devices Available S S S G G S S S (RoHS Compliant) Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Networking DC-DC Powe

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HY15P03C2

HY15P03S P -Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30 / -15A V D D 6.6m RDS(ON)= (typ.) @ VGS=-10V D D 8.2m RDS(ON)= (typ.) @ VGS=-4.5V Avalanche Rated S S S Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available Top View of SOP-8 (RoHS Compliant) pplications A Power Management in DC/DC Converter P-Channel MOSFET Ordering and Mark

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