HY1607PM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY1607PM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 362 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
Encapsulados: TO3P
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HY1607PM datasheet
hy1607p hy1607m hy1607b hy1607mf hy1607ps hy1607pm.pdf
S D G S D G S S D D G G TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L TO-3PM-3L S D G S S D
hy1607p.pdf
HY1607P N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 68V/70A RDS(ON)= 6.5m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested G D Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Switching application Power Management for Inverter Systems. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code P T
hy1607d hy1607u hy1607v.pdf
HY1607D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 68V/70A RDS(ON)= 6.8m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S D G Lead Free and Green Devices Available S D (RoHS Compliant) G TO-252-2L TO-251-3L Applications Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Cod
hy1606p hy1606b.pdf
HY1606P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/66A RDS(ON)= 10.4 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D G (RoHS Compliant) S D G TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and
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Liste
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