HY1710MF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY1710MF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO220MF

 Búsqueda de reemplazo de HY1710MF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HY1710MF datasheet

 ..1. Size:1249K  hymexa
 hy1710p hy1710m hy1710b hy1710mf hy1710ps hy1710pm.pdf pdf_icon

HY1710MF

HY1710P/M/B/MF/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/70A RDS(ON)= 15m (typ.)@VGS = 10V S D G 100% Avalanche Tested S D G Reliable and Rugged S D G Lead- Free Devices Available TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3S (RoHS Compliant) Applications S D Switching application G S S D Power management for inverter systems D G G TO-220M

Otros transistores... HY1607M, HY1607B, HY1607MF, HY1607PS, HY1607PM, HY1710P, HY1710M, HY1710B, AON7408, HY1710PS, HY1710PM, HY1720P, HY1720B, HY1803C2, HY1804D, HY1804V, HY1804P