HY1710MF Todos los transistores

 

HY1710MF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1710MF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220MF
 

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HY1710MF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1249K  hymexa
hy1710p hy1710m hy1710b hy1710mf hy1710ps hy1710pm.pdf pdf_icon

HY1710MF

HY1710P/M/B/MF/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 100V/70ARDS(ON)= 15m(typ.)@VGS = 10VSDG 100% Avalanche Tested SDG Reliable and RuggedSDG Lead- Free Devices AvailableTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3S(RoHS Compliant)Applications SD Switching applicationGSSD Power management for inverter systems DGGTO-220M

Otros transistores... HY1607M , HY1607B , HY1607MF , HY1607PS , HY1607PM , HY1710P , HY1710M , HY1710B , AON7408 , HY1710PS , HY1710PM , HY1720P , HY1720B , HY1803C2 , HY1804D , HY1804V , HY1804P .

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