HY1710PS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY1710PS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de HY1710PS MOSFET
HY1710PS Datasheet (PDF)
hy1710p hy1710m hy1710b hy1710mf hy1710ps hy1710pm.pdf

HY1710P/M/B/MF/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 100V/70ARDS(ON)= 15m(typ.)@VGS = 10VSDG 100% Avalanche Tested SDG Reliable and RuggedSDG Lead- Free Devices AvailableTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3S(RoHS Compliant)Applications SD Switching applicationGSSD Power management for inverter systems DGGTO-220M
Otros transistores... HY1607B , HY1607MF , HY1607PS , HY1607PM , HY1710P , HY1710M , HY1710B , HY1710MF , IRFP260 , HY1710PM , HY1720P , HY1720B , HY1803C2 , HY1804D , HY1804V , HY1804P , HY1804B .
History: AP4530GM | FTK8810L | 15N65L-T47-T | 4N65D | SVS11N65T | CSD18509Q5B | 15NM70G-TM3-T
History: AP4530GM | FTK8810L | 15N65L-T47-T | 4N65D | SVS11N65T | CSD18509Q5B | 15NM70G-TM3-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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