HY19P03B Todos los transistores

 

HY19P03B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY19P03B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 461 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de HY19P03B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HY19P03B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  hymexa
 hy19p03p hy19p03b.pdf pdf_icon

HY19P03B

HY19P03P/BP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description -30V/-90ARDS(ON)= 4.7m(typ.)@VGS =-10VRDS(ON)= 6.5m(typ.)@VGS =-4.5VSGD 100% avalanche tested Reliable and RuggedGDS Lead Free and Green Devices AvailableTO-220FB-3L TO-263-2L (RoHS Compliant)Applications Switching Application Power Management for DC/DCP-Channel MOSFETOrdering

 7.1. Size:745K  hymexa
 hy19p03d hy19p03u hy19p03v.pdf pdf_icon

HY19P03B

HY19P03 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -30V/-90A RDS(ON)= 4.8m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 6.5m(typ.)@VGS = 4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DC converter. P-Channel MOSFET Ordering a

Otros transistores... HY1915B , HY1920P , HY1920B , HY1920W , HY19P03D , HY19P03U , HY19P03V , HY19P03P , P0903BDG , HY3003D , HY3003U , HY3003V , HY3008P , HY3008M , HY3008B , HY3008MF , HY3008PL .

History: ZXMN3B14FTA | SVF4N65RM | HUFA75645P3

 

 
Back to Top

 


 
.