SSS3N90A Todos los transistores

 

SSS3N90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSS3N90A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de SSS3N90A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSS3N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  samsung
 sss3n90a.pdf pdf_icon

SSS3N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 6.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 4.679 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.1. Size:507K  samsung
 sss3n80a.pdf pdf_icon

SSS3N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 3.800 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

Otros transistores... SSR3055LA , SSS10N60A , SSS1N50A , SSS1N60A , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A , AON6414A , SSS4N55 , SSS4N60 , SSS4N60AS , SSS4N80A , SSS4N80AS , SSS4N90A , SSS4N90AS , SSS5N80A .

History: PHB80N06LT

 

 
Back to Top

 


 
.