HY3708PS Todos los transistores

 

HY3708PS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3708PS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 288 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 995 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de HY3708PS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HY3708PS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1054K  hymexa
 hy3708p hy3708m hy3708b hy3708ps hy3708pm.pdf pdf_icon

HY3708PS

HY3708P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETatures Pin DescriptionFe 80V/170ARDS(ON)= 3.8 m(typ.) @ VGS=10VSDGS 100% avalanche testedDGSD Reliable and RuggedGTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGTO-3PS-3L TO-3PM-3SApplications Power Management for Inverter S

 9.1. Size:1014K  hymexa
 hy3704p hy3704b.pdf pdf_icon

HY3708PS

HY3704P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/176ARDS(ON)= 3.0 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged SGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2LTO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering a

Otros transistores... HY3503C2 , HY3606P , HY3606B , HY3704P , HY3704B , HY3708P , HY3708M , HY3708B , BS170 , HY3708PM , HY3712P , HY3712M , HY3712B , HY3712PS , HY3712PM , HY3906W , HY3906A .

History: SWT38N65K2 | HGA028NE6AL | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | CJL3443

 

 
Back to Top

 


 
.