HY3708PM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY3708PM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 288 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 995 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO3P

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HY3708PM datasheet

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 hy3708p hy3708m hy3708b hy3708ps hy3708pm.pdf pdf_icon

HY3708PM

HY3708P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET atures Pin Description Fe 80V/170A RDS(ON)= 3.8 m (typ.) @ VGS=10V S D G S 100% avalanche tested D G S D Reliable and Rugged G TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G TO-3PS-3L TO-3PM-3S Applications Power Management for Inverter S

 9.1. Size:1014K  hymexa
 hy3704p hy3704b.pdf pdf_icon

HY3708PM

HY3704P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 40V/176A RDS(ON)= 3.0 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S GD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GDS TO-220FB-3L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for DC/DC N-Channel MOSFET Ordering a

Otros transistores... HY3606P, HY3606B, HY3704P, HY3704B, HY3708P, HY3708M, HY3708B, HY3708PS, IRFZ44N, HY3712P, HY3712M, HY3712B, HY3712PS, HY3712PM, HY3906W, HY3906A, HY3912W