HY3912A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY3912A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 349 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 125 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de HY3912A MOSFET
HY3912A Datasheet (PDF)
hy3912w hy3912a.pdf

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Otros transistores... HY3712P , HY3712M , HY3712B , HY3712PS , HY3712PM , HY3906W , HY3906A , HY3912W , IRFZ44 , HY4004P , HY4004B , HY4008B6 , HY4008P , HY4008M , HY4008B , HY4008PS , HY4008PM .
History: STB30NF20L | CSD17578Q5A | 8N65KG-TF2-T | CSD17578Q3A | 8N65KG-TA3-T | AUIRF9952Q | SVS80R430FE3
History: STB30NF20L | CSD17578Q5A | 8N65KG-TF2-T | CSD17578Q3A | 8N65KG-TA3-T | AUIRF9952Q | SVS80R430FE3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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