HYG050N13NS1B6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HYG050N13NS1B6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 135 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 116.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 887 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO263-6L

 Búsqueda de reemplazo de HYG050N13NS1B6 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HYG050N13NS1B6 datasheet

 ..1. Size:1441K  hymexa
hyg050n13ns1b6.pdf pdf_icon

HYG050N13NS1B6

HYG050N13NS1B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 135V/200A RDS(ON)=3.8m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply Pin1 Pin2,3,5,6,7 Ordering and Marking Informat

 7.1. Size:822K  hymexa
hyg050n08ns1p hyg050n08ns1b.pdf pdf_icon

HYG050N13NS1B6

HYG050N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/130A RDS(ON)= 4 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged D G Lead-Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Chan

 9.1. Size:420K  1
hyg053n10ns1p hyg053n10ns1b.pdf pdf_icon

HYG050N13NS1B6

HYG053N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/120A RDS(ON)=4.8 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Battery management N-Channel MOSFET

 9.2. Size:746K  1
hyg055n08ns1c2.pdf pdf_icon

HYG050N13NS1B6

HYG055N08NS1C2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/85A D D D D D D D D RDS(ON)=4.8 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6 8L - Applications Switching application Power management for inverter systems Motor contr

Otros transistores... HYG025N06LS1C2, HYG025N06LS1P, HYG032N03LR1C1, HYG035N02KA1C2, HYG035N06LS1C2, HYG045N03LA1C2, HYG050N08NS1P, HYG050N08NS1B, NCEP15T14, HYG060N08NS1D, HYG060N08NS1U, HYG060N08NS1V, HYG060N08NS1P, HYG060N08NS1B, HYG060P04LQ1D, HYG060P04LQ1U, HYG060P04LQ1V