SSS5N90A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSS5N90A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SSS5N90A datasheet

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SSS5N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.9 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 2.300 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 9.1. Size:502K  samsung
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SSS5N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.824 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings S

 9.2. Size:1128K  shenzhen
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SSS5N90A

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd N60 SSS5N60 4 Amps 600Volts 4 Amps 600Volts 4 Amps 600Volts 4 Amps 600Volts N-CHANNEL MOSFET N-CHANNEL MOSFET N-CHANNEL MOSFET N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The SSS5N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high

Otros transistores... SSS4N55, SSS4N60, SSS4N60AS, SSS4N80A, SSS4N80AS, SSS4N90A, SSS4N90AS, SSS5N80A, IRF630, SSS6N55, SSS6N60, SSS6N70A, SSS6N80A, SSS6N90A, SSS70N10A, SSS7N60A, SSS7N80A