HSBB4062 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSBB4062
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: PRPAK3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSBB4062

HSBB4062 Datasheet (PDF)

..1. Size:763K 1
hsbb4062.pdf

HSBB4062 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Features Product Summary Advanced Trench MOS Technology VDS 40 V Low Gate Charge RDS(ON),typ 12.5 m 100% EAS Guaranteed Green Device Available ID 33 A Applications Power Management Functions PRPAK3*3 Pin Configuration DC-DC Converters. Backlighting. Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Ra

..2. Size:763K huashuo
hsbb4062.pdf

8.1. Size:793K 1
hsbb4052.pdf

HSBB4052 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB4052 is the high cell density trenched N-VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 6.9 m converter applications. ID 43 A The HSBB4052 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

8.2. Size:616K 1
hsbb4016.pdf

HSBB4016 Description Product Summary The HSBB4016 is the high cell density trenched N-VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.9 m converter applications. ID 40 A The HSBB4016 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. PRPAK3x3 Pin Co

8.3. Size:793K huashuo
hsbb4052.pdf