HSM3305 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSM3305
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSM3305

HSM3305 Datasheet (PDF)

..1. Size:875K huashuo
hsm3305.pdf

HSM3305 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -30 V DSThe HSM3305 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 42 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -5 A DThe HSM3305 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full func

8.1. Size:481K huashuo
hsm3303.pdf

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