HSM6901 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSM6901
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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HSM6901 Datasheet (PDF)
hsm6901.pdf
HSM6901 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6901 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 60V 32m 4.8A cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -60V 70m -3.7A converter applications . The HSM6901 meet the RoHS and Green Product requir
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Liste
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