HSP150N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSP150N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSP150N15

HSP150N15 Datasheet (PDF)

..1. Size:736K huashuo
hsp150n15.pdf

HSP150N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSP150N15 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),TYP 5 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 150 A The HSP150N15 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

7.1. Size:751K huashuo
hsp150n02.pdf

HSP150N02 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP150N02 is the highest performance VDS 150 V trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate RDS(ON),typ 12 m charge for most of the synchronous buck ID 120 A converter applications. The HSP150N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EA

9.1. Size:945K huashuo
hsp15810c.pdf

HSP15810C N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description V 100% EAS Guaranteed DS 100 V Green Device Available R 4.7 m DS(ON),typ Super Low RDS (ON) Advanced high cell density Trench I 120 A D technology TO220 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous recti

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Liste

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