2SK1917-MR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1917-MR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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2SK1917-MR datasheet

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2SK1917-MR

FUJI POWER MOSFET 2SK1917-MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET F-II SERIES Outline Drawings Features High speed switching TO-220F15 Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGS= 30V Guarantee Applications Switching regulators 2.54 UPS DC-DC converters 3. Source General purpose power amplifier JEDEC EIAJ SC-67 Equivalent circuit schematic Max

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2SK1917-MR

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1917-M DESCRIPTION Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators UPS DC-DC converters General purpose power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

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2SK1917-MR

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1917 DESCRIPTION Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators UPS General purpose power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UN

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2SK1917-MR

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