HSU1241 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU1241

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm

Encapsulados: TO252

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HSU1241 datasheet

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HSU1241

HSU1241 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU1241 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 16.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 40 A The HSU1241 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

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HSU1241

HSU12N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSU12N10 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),TYP 93 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 12 A applications . The HSU12N10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS gua

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