HSU6903 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSU6903
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSU6903

HSU6903 Datasheet (PDF)

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hsu6903.pdf

HSU6903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU6903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 60V 40m 20A high cell density, which provide excellent RDSON -60V 100m -12A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSU6903 meet the RoHS and Green Product requ

8.1. Size:911K huashuo
hsu6901.pdf

HSU6901 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU6901 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 60V 32m 23A high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous -60V 70m -18A buck converter applications . The HSU6901 meet the RoHS and Green Product requirem

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Liste

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