SVF4N65RM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVF4N65RM
   Código: 4N65RM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251D

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF4N65RM

SVF4N65RM Datasheet (PDF)

..1. Size:672K silan
svf4n65rd svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A650V N 2SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3

..2. Size:433K silan
svf4n65rdtr svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A650V N 2SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3

7.1. Size:449K silan
svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

7.2. Size:697K silan
svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

7.3. Size:642K silan
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SVF4N65T/F(G)/M_Datasheet 4A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N65T/F(G)/M is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

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svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj.pdf